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onsemi NXV10Vx三相汽车用功率MOSFET模块

安森美NXV10Vx三相汽车用功率MOSFET模块设计用于汽车应用的高效电源管理。这些安森美半导体模块特别适合用于电动汽车(ev)牵引逆变器、车载充电器和直流－直流转换器。该器件具有低RDS(on) 和大电流处理能力，可确保高效功率转换和最小能量损耗。此外，NXV10Vx模块设计紧凑，具有出色的散热性能，非常适用于现代汽车系统中空间受限的环境。这些特性有助于提高汽车电源系统的整体可靠性和效率。

特性

  • 三相MOSFET模块
  • 电隔离DBC基板，实现低热阻
  • 温度传感
  • 设计紧凑，实现低模块总电阻
  • 模块串行化，实现完全可追溯性
  • 能够设计小型、高效、可靠的系统，以降低车辆燃油消耗和CO2排放
  • 可简化车辆装配
  • 通过模块外壳和散热片之间的热界面材料直接安装，实现低结-散热片热阻
  • APM21-CGA 封装
  • AQG324合规并具有PPAP功能
  • 无铅，符合RoHS指令，符合UL 94 V-0标准

应用

  • 48V电子压缩机和其他48V辅助设备
  • 电动汽车（ev）牵引逆变器
  • 板载充电器
  • DC-DC转换器

规范

  • 漏极-源极电压：100V（最大值）
  • 最大栅极-源极电压：±20V
  • 单脉冲雪崩能量：587mJ（最大值）
  • 最大漏电流：250µA
  • 漏极-源极漏电流：5µA（最大值）
  • 栅极-源极漏电流：±100nA（最大值）
  • 栅极-源极阈值电压范围：2.0V至4.5V
  • 典型输入电容：6970pF
  • 输出电容：3950pF（典型值）
  • 反向传输电容：29pF（典型值）
  • 栅极电阻：0.4Ω（典型值）
  • 总栅极电荷：101nC
  • 栅极-源极电荷：34nC（典型值）
  • 栅极-漏极电荷：19nC（典型值）
  • 接通延迟时间：46ns（典型值）
  • 上升时间：26ns（典型值）
  • 关断延迟时间：52ns（典型值）
  • 15 ns 下降时间
  • 最高结温：+175 °C

数据手册

原理图

原理图 - onsemi NXV10Vx三相汽车用功率MOSFET模块
发布日期: 2024-03-14 | 更新日期: 2025-03-25