onsemi NZ8P齐纳保护二极管
安森美 (onsemi) NZ8P齐纳保护二极管旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。NZ8P二极管具有低钳位电压和快速响应时间，非常适合用于高速数据线和低压应用。NZ8P的击穿电压范围为3.6V至48.5V，最大反向漏电流为1μA（典型值），可提供可靠的过压保护，同时不会影响信号完整性。此系列二极管采用紧凑型X2DFNW2表面贴装封装，支持空间受限的设计和自动化组装工艺。安森美 (onsemi) NZ8P组件符合IEC 61000-4-2 ESD保护标准，非常适合用于便携式设备、通信设备及其他需要强大高效电路保护的消费类电子产品。
特性
- 提供全范围工作电压选项
- 高ESD额定值
- 可润湿侧翼X2DFNW2封装，可实现最佳的自动光学检测（AOI）
- SZ前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车及其他应用；符合AEC-Q101标准，支持PPAP
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令
应用
- 汽车ECU
- 车载网络（IVN）
- 电压敏感电路
规范
- 工作峰值反向电压范围：3.3 V至42 V
- 击穿电压范围：3.6 V至48.5 V
- 最大反向漏电流范围：100nA至5000nA
- 最大反向峰值脉冲电流范围：3.0A至8.0A
- 最大钳位电压范围：5.5V至60V
- 典型结电容范围：12pF至109pF
- ESD保护：±30 kV（最大值）
- 结温范围：-55 °C至+150 °C
- 最大引线焊接温度：+260°C
原理图
发布日期: 2025-11-04
| 更新日期: 2025-12-10