onsemi 单N和P通道功率MOSFET

onsemi单N和P通道功率MOSFET的占用空间小,可用于紧凑型设计;RDS(on)低,将传导损耗降至最低;QG和电容低,将驱动器损耗降至最低。onsemi单N和P通道功率MOSFET不含铅,适合用于需符合AEC−Q101标准的场地、需变更控制的车用和其他应用。

特性

  • Small footprint
  • Low RDS(on)
  • Low QG
  • Low capacitance
  • Lead−free devices

规范

  • 60VDS drain-source breakdown voltage
  • 52mΩ RDS(on) drain-source resistance
  • 14A continuous drain current
发布日期: 2011-08-19 | 更新日期: 2022-03-11