onsemi 屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET

安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET是N沟道MOSFET，可最大限度地降低导通电阻，并通过同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。与其他MOSFET相比，这些MOSFET的Q_rr 更低。安森美半导体屏蔽栅极PowerTrench MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。这些MOSFET具有低R_DS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低Q_G 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。屏蔽栅极PowerTrench MOSFET采用小型PQFN8封装，尺寸为5mm x 6mm，设计紧凑。典型应用包括同步整流 (SR)、交流－直流和直流－直流电源、交流－直流适配器（USB供电）同步整流器和负载开关。