onsemi 单N沟道功率MOSFET
安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，占位面积小。这些功率MOSFET具有低RDS(ON) 、低QG 和低电容，最大限度地降低了导通损耗和驱动器损耗。这些MOSFET具有40V、60V和80V漏-源电压和±20V栅-源电压。安森美（onsemi）单N沟道功率MOSFET无铅，符合RoHS指令。
特性
- 占位面积小 (5mm x 6mm)，设计紧凑
- 低RDS(on) 最大程度地降低了导通损耗
- 低QG 和低电容最大程度地降低了驱动器损耗
- 行业标准LFPAK4封装
- 无铅
- 符合 RoHS 要求
规范
- 漏极-源极击穿电压：40V、60V或80V
- 连续漏极电流：14A至253A
- 漏极-源极导通电阻：1.43mΩ至67mΩ
- 栅极-源极阈值电压：2V至4V
- 功率耗散：23W至194W
- 最高工作温度：高达+175°C
简化框图
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| NTMYS006N08LHTWG |  |
MOSFET T8 80V LL LFPAK |
| NVTFWS4D9N04XMTAG | |
MOSFET 40V T10M IN U8FL PACKAGE |
| NVMFWS0D63N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTTFSSH1D3N04XL | |
MOSFET T10S 40V PC33 SOURCE DOWN GEN 2 |
| NVMFWS2D1N08XT1G | |
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF |
| NVMFWS3D5N08XT1G | |
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF |
| NVMFWS1D1N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NVMFWS2D9N04XMT1G | |
MOSFET 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
| NTMYS013N08LHTWG | |
MOSFET T8 80V LL LFPAK |
| NTMYS020N08LHTWG | |
MOSFET T8 80V LL LFPAK |
发布日期: 2023-12-20
| 更新日期: 2025-10-30