onsemi TF412 N沟道JFET
onsemi TF412 N沟道JFET专为低频通用放大器和阻抗变换器应用而设计。Onsemi TF412的最大工作电压为30V，最大工作电流为10mA，输入栅极-源极漏电流（IGSS）非常小，仅为-1.0nA（VGS = -20V, VDS = 0V），典型输入电容（Ciss）为4pF（VDS = 10V、VGS = 0V、f = 1MHz）。这款onsemi JFET采用超小型SOT-883封装（1.0mm×0.6mm×0.4mm），支持产品小型化，符合无卤素环境标准，是紧凑型环保设计的绝佳选择。
特性
- 小型IGSS：最大 - 1.0nA（VGS= -20V、VDS= 0V）
- 小型Ciss：典型值4pF（VDS= 10V、VGS= 0V，f=1MHz）
- 超小型封装有助于实现终端产品的微型化
- 符合无卤素标准
应用
- 低频通用放大器
- 阻抗转换
- 红外线传感器应用
发布日期: 2025-01-20
| 更新日期: 2025-03-05