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QPD0020 GaN射频晶体管 - Qorvo
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Qorvo QPD0020 GaN射频晶体管
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Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶体管是出色的35W分立式碳化硅基氮化镓HEMT,在+48V电源轨上工作,频率范围为直流至6GHz。该器件适合用于基站、雷达和通信应用。该晶体管支持连续波和脉冲工作模式。QPD0020可用于Doherty架构中,用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后一级。QPD0020还可用作宏单元基站功率放大器的驱动器。
特性
工作频率范围:直流至6GHz
工作漏极电压:+48V
最大输出功率 (PSAT):34.7W
最大漏极效率:77.8%
效率经过调谐的P3dB增益18.8dB
表面贴装塑料封装
应用
W-CDMA/LTE
宏蜂窝基站驱动器
微蜂窝基站
小型蜂窝末级
有源天线
地面移动和军用无线电通信
通用型应用
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发布日期: 2021-11-29 | 更新日期: 2022-03-11