QPD0020 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶体管是出色的35W分立式碳化硅基氮化镓HEMT,在+48V电源轨上工作,频率范围为直流至6GHz。该器件适合用于基站、雷达和通信应用。该晶体管支持连续波和脉冲工作模式。QPD0020可用于Doherty架构中,用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后一级。QPD0020还可用作宏单元基站功率放大器的驱动器。

半导体类型

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Qorvo 射频(RF)双极晶体管 DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor 100库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 100

Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor 无库存交货期 16 周
最低: 500
倍数: 500
卷轴: 500