QPD0020TR7

Qorvo
772-QPD0020TR7
QPD0020TR7

制造商：

说明：
GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

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Qorvo
产品种类: GaN 场效应晶体管
RoHS:  
SMD/SMT
QFN-20
2.69 GHz
2.62 GHz
GaN
商标: Qorvo
配置: Single
开发套件: QPD0020EVB02
增益: 16.7 dB
湿度敏感性: Yes
输出功率: 34.7 W
封装: Reel
封装: Cut Tape
产品类型: GaN FETs
系列: QPD0020
工厂包装数量: 500
子类别: Transistors
晶体管类型: HEMT
零件号别名: QPD0020
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数据表

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合规代码
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
美国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD0020 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶体管是出色的35W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，在+48V电源轨上工作，频率范围为直流至6GHz。该器件适合用于基站、雷达和通信应用。该晶体管支持连续波和脉冲工作模式。QPD0020可用于Doherty架构中，用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后一级。QPD0020还可用作宏单元基站功率放大器的驱动器。

库存量: 495

库存：
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生产周期：
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
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预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥520.4102 ¥520.41
¥429.9198 ¥4,299.20
¥407.2407 ¥10,181.02
¥402.2122 ¥40,221.22
¥402.1331 ¥100,533.28
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
¥385.2848 ¥192,642.40

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