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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 575.3 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

772-QPD0020TR7

制造商编号：

QPD0020TR7

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

数据表:

QPD0020TR7 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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供货情况

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在途量:: 500

预期 2026/9/11
生产周期：: 16

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥650.089	¥650.09
	¥643.5689	¥6,435.69
	¥505.4716	¥12,636.79
	¥398.8222	¥39,882.22
	¥356.176	¥89,044.00
整卷卷轴（请按500的倍数订购）
	¥355.2268	¥177,613.40
1,000	报价

备用包装

制造商零件编号:

QPD0020

包装:

Reel, Cut Tape

供货情况:

库存量

单价:

¥596.9338

最小:

类似产品

制造商：

Qorvo

制造商编号：

QPD0020

说明：

射频(RF)双极晶体管 DC-6 GHz, 35 Watt, 48 Volt GaN RF Power Transistor

寿命周期:

受限供货情况: Mouser当前不供应此零件编号的零件。产品可能为限量销售或工厂特别订单。

与当前部分进行比较

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	QFN-20
商标:	Qorvo
配置:	Single
开发套件:	QPD0020EVB02
增益:	16.7 dB
最大工作频率:	2.69 GHz
最小工作频率:	2.62 GHz
输出功率:	34.7 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD0020
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
技术:	GaN
晶体管类型:	HEMT
零件号别名:	QPD0020

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

QPD0020TR7 数据表 (PDF)

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合规代码

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

QPD0020 GaN射频晶体管

Qorvo QPD0020 GaN RF功率晶体管是出色的35W分立式碳化硅基氮化镓HEMT，在+48V电源轨上工作，频率范围为直流至6GHz。该器件适合用于基站、雷达和通信应用。该晶体管支持连续波和脉冲工作模式。QPD0020可用于Doherty架构中，用于小型蜂窝、微蜂窝和有源天线系统的基站功率放大器的最后一级。QPD0020还可用作宏单元基站功率放大器的驱动器。