Qorvo QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管
Qorvo QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管是一款1300W (P3dB) 分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN on SiC HEMT)，工作频率范围为420MHz至450MHz。QPD1026L在440MHz时的线性增益为25.9dB。封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配，节省电路板空间。该器件支持连续波和脉冲操作。
Qorvo QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管采用行业标准NI-1230气腔封装，非常适合用于业余无线电、公共安全无线电和无线电定位应用。QPD1026L封装包括一个耳状法兰，用于螺栓旋紧安装。
特性
- 420MHz至450MHz频率范围
- 输出功率 (P3dB)：1318W（440MHz时）
- 线性增益：25.9dB（440MHz时）
- 功率附加效率 (PAE)：80.8%
- 饱和输出功率 (PSAT)：61.2dBm
- 漏极电压 (VD) ：+65V
- 漏极偏置电流 (IDQ)：1500mA
- 支持CW和PWM运行
- 工作温度范围：-40°C至+85°C
- Eared NI-1230气腔封装
- 无卤、无铅，符合RoHS指令
应用
- UHF雷达
- 业余无线电
- 公共安全无线电
- 无线电定位服务
开发工具
Qorvo QPD1026LEVB评估板
用于QPD1026L GaN射频输入匹配晶体管的演示和开发平台。
框图
引脚分配
发布日期: 2022-02-03
| 更新日期: 2022-03-11