Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管
Qorvo QPD2562L GaN射频功率晶体管是一款200W至300W分立GaN-on-SiC HEMT，工作频率范围为2.5GHz至2.9GHz和2.9GHz至3.3GHz，输出功率分别为55.4dBm/53dBm（典型值）。该器件具有饱和输出功率，大信号增益分别为13dB和50%/45%，漏极效率分别为50%/45%。
封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配，节省电路板空间。Qorvo QPD2562L非常适合雷达应用，采用行业标准气腔封装。该器件支持连续波和脉冲两种工作方式。
特性
- 工作频率范围：2.5GHz至2.9GHz、2.9GHz至3.3GHz
- 饱和输出功率PSAT：54.8dBm、53dBm
- PSAT时漏极效率：50%，45%
- 大信号增益（PSAT时）：13dB
- VDS偏置 = +50V，IDQ = 440mA
- NI-650 封装
- 封装尺寸：29.00 mm x 5.84 mm
应用
- S波段雷达
- ISM
- 通信
功能框图
开发工具
发布日期: 2026-09-30
| 更新日期: 2026-10-06