RAMXEED FRAM（铁电随机存取存储器）
Fujitsu Semiconductor FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等特点。这些特性使FRAM非常适合需要连续记录数据、实时记录三维位置信息，并且在突然断电时需要进行数据保护的应用。
Fujitsu Semiconductor FRAM提供串行（SPI和I2C接口）和并行（并行接口）两种版本，并采用多种紧凑的高密度封装类型。存储器大小选项从4KB到8MB。
特性
- 非易失性
- 断电时存储的数据不会丢失
- 数据保持不需要电池
- 低功耗
- 写入操作不需要升压电路
- 写入功耗比EEPROM低92%
- 保持数据不需要数据保持电流
- 高读/写耐久性
- 保证10万亿（1013）个读/写周期
- 耐久性是EEPROM的1000万倍
- 写入速度快
- 可以在不擦除的情况下覆盖数据
应用
- 物联网
- 汽车
- 工业设备和基础设施
- 智能电表
- 医疗
- 消费
- 企业
- 网络
应用示例
视频
封装选项
存储器选项
发布日期: 2021-08-25
| 更新日期: 2025-06-05