Renesas Electronics 异步SRAM

异步SRAM（aka异步静态随机存取存储器）使用静态方法存储数据，只要向器件供电，数据就保持恒定。这种方法不同于DRAM（动态RAM），它始终需要刷新存储在存储器中的数据。

由于异步SRAM以静态方式存储数据，因此比DRAM更快、功耗更低。另一方面，SRAM采用更复杂的电路拓扑结构创建，因此，与DRAM相比，制造密度更低、成本更高。因此，DRAM最常用作个人电脑的主内存。相比之下，异步SRAM通常用于更小的存储器应用，例如CPU缓存、硬盘驱动缓冲器、网络设备、消费类电子产品和家电。同步SRAM使用时钟进行读写，而异步信号通常控制异步SRAM。

选择异步SRAM的关键参数包括：

密度：是指异步SRAM要在其内存中保留的位数。Renesas提供的尺寸最大为4MB。
总线宽度：用于读取和写入内存的“通道”数。Renesas提供8位和16位选项。
内核电压：为异步SRAM供电的电源电压。这通常由系统中可用的电源轨定义，通常会影响读取和写入存储器所需的I/O电压。Renesas提供标准5V和3.3V选项。
I/O电压：用于数据输入和输出的电压；对于某些器件，它与内核电压分开。
访问时间：读取或写入内存所需的时间。理想情况下，异步SRAM的访问时间应足够快，以便与CPU保持同步。如果没有，CPU将会浪费一定数量的时钟周期，从而降低速度。Renesas的访问时间快至10ns。