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Renesas Electronics F1485高增益射频放大器

Renesas Electronics F1485高增益射频放大器设计用于在2.3GHz至5.0GHz频率范围内工作。F1485元器件利用5V电源提供36.5dB增益、3.8dB噪声系数和27dBm OP1dB（在3.6GHz时）。Renesas F1485放大器采用3mm2 16-VFQFPN封装，提供匹配的50Ω输入和输出阻抗，便于集成到信号路径中。

特性

  • 频率范围：2.3GHz至5.0GHz
  • 增益：36.5dB（典型值，3.6GHz时）
  • NF：3.8dB（典型值，3.6GHz时）
  • OP1dB：27dBm（典型值，3.6GHz时）
  • - 41dBc ACLR，LTE-TDD 20MHz信号（POUT =15dBm平均值），8dB PAR（0.01%概率，3.6GHz时）
  • 单端输入和输出阻抗：50Ω
  • 5V电源
  • 静态电流消耗：110mA（典型值）
  • 1.8V逻辑兼容待机模式，可节能
  • 工作温度 (TEPAD) 范围：-40°C至+115°C
  • 3mm2 16-VFQFPN封装

应用

  • 5G sub-6GHz大规模MIMO
  • 无线集成设施基站
  • FDD或TDD系统
  • 公共安全基础设施
  • 军用手持设备
  • 中继器和分布式天线系统 (DAS)
  • 通用射频

框图

框图 - Renesas Electronics F1485高增益射频放大器
发布日期: 2023-02-17 | 更新日期: 2023-08-31