特性
- HIP2211可直接替代ISL2111和HIP2101 8Ld SOIC、8 Ld DFN和10 Ld TDFN封装
- 115VDC自举电源最高电压在半桥上支持100V
- 3A拉电流和4A灌电流NMOS FET栅极驱动器
- 快速传播延迟和匹配:15ns典型延迟;2ns典型匹配 (HIP2211)
- 集成式0.5Ω典型自举二极管
- 宽工作电压范围:6V至18V
- VDD和启动欠压闭锁 (UVLO)
- 强大的噪声容差:输入端具有宽迟滞;HS引脚可承受高达-10V连续电压
- HIP2211:HI/LI输入3.3V逻辑兼容VDD电压容差
- HIP2210:三电平PWM输入,通过外部VREF引脚设置逻辑阈值电平,电压范围为2.7V至5.5V
- HIP2210:可编程死区时间防止击穿;可通过单个电阻器在35ns至350ns范围内调节
应用
- 电信半桥和全桥直流/直流转换器
- 三相BLDC电机驱动器;半桥电机驱动器
- 双开关正向和有源钳位转换器
- 多相PWM直流/直流控制器
- D类放大器
典型应用
发布日期: 2021-09-01
| 更新日期: 2022-03-11

