Renesas Electronics HIP2210EVAL1Z评估板

Renesas Electronics HIP2210EVAL1Z评估板设计用于为评估HIP2210提供快速全面的方法。HIP2210是一款100V 3A拉电流、4A灌电流高频半桥驱动器,用于驱动采用半桥配置的两个N沟道 MOSFET的栅极。评估板上包含两个N沟道MOSFET(双占位支持 TO220和DPAK等多种封装)和一个电感器电容器LC滤波器,用于评估半桥驱动负载,例如同步降压开关稳压器。

特性

  • 3A拉电流和4A灌电流NMOS栅极驱动器
  • 内部电平转换器和自举二极管,用于高侧NFET的栅极驱动器
  • 高达100V高侧自举基准
  • 6V至18V偏置电源操作
  • 快速15ns典型传播延迟和2ns典型传播延迟匹配支持高达1MHz运行

规范

  • 12V标称VDD电源
  • VBRIDGE电源输入:0V至60V
  • PWM开关频率:100kHz
  • 栅极驱动峰值电流:3A拉电流和4A灌电流

框图

Renesas Electronics HIP2210EVAL1Z评估板
发布日期: 2021-09-01 | 更新日期: 2022-03-11