Renesas Electronics HIP2211EVAL2Z评估板
Renesas HIP2211EVAL2Z评估板提供了一个全面、多功能平台，用于评估HIP2211 N沟道MOSFET半桥驱动器。HIP2211EVAL2Z板设计用于60V半桥应用，具有12V电源，用于偏置HIP2211 IC的VDD。
Renesas HIP2211EVAL2Z评估板包括MOSFET，具有双占位，用于TO220和DPAK。此外，该板还设有电感器电容输出滤波器，用于评估开环类型同步降压直流/直流转换器，其中输出电压通过信号的占空比控制到HI/LI引脚。
特性
- 3A拉电流和4A灌电流NMOS栅极驱动器
- 内部电平转换器和自举二极管，用于高侧NFET的栅极驱动器
- 高达100V高侧自举基准
- 6V至18V偏置电源操作
- 快速15ns典型传播延迟和2ns典型传播延迟匹配支持高达1MHz运行
规范
- 该板优化用于以下工作条件：
- 12V标称VDD电源
- VBRIDGE电源输入：0V至60V
- PWM开关频率：100kHz
- 栅极驱动峰值电流：3A拉电流和4A灌电流
必要设备
- 一款可提供12V或更高电压且至少具有2A拉电流能力的电源
- 一款可提供60V或更高电压以偏置半桥的电源
- 一款具有0V至5V逻辑电平输出和100kHz能力的脉冲发生器
- 可选：一个脉冲发生器，具有两个可同步的0V至5V逻辑电平输出和100kHz能力
- 至少4通道示波器，用于监控LI、HI、LO、HO和HS信号
- 可选：直流电子负载，用于从LC滤波器输出中提取电流
正面和背面布局
发布日期: 2020-07-02
| 更新日期: 2022-03-11