Renesas Electronics SRAM存储器和数据存储产品
Renesas Electronics SRAM内存和数据存储产品采用先进的低功耗SRAM技术，具有高密度和高性能RAM。这些SRAM产品在-40°C至85°C宽温度范围内工作，电压范围为2.7V至3.6V（3V部分）或4.5V至5.5V（5V部分）。SRAM内存和数据存储产品还具有低功耗待机功耗，适用于内存应用、电池工作和电池备份设计。
特性
- 先进的LP静态随机存储器技术
- 高可靠性：极低软误差率（< 0.1FIT/Mbit）
- 长期支持，根据产品长寿命计划 (PLP) 进行管理
- 低功耗
- 电池备用工作
- 所有输入和输出均兼容TTL
- 通用数据I/O
- 宽工作温度范围：-40°C至85°C
- 电压范围：2.7V至3.6V（3V部件）或4.5V至5.5V（5V部件）
应用
- 工业电信
- 社会基础设施办公室自动化
- 消费类汽车配件
- 医疗/保健
Renesas低功耗SRAM应用
先进的低功耗SRAM技术，具有出色的性能和可靠性
其他资源
发布日期: 2020-06-09
| 更新日期: 2022-03-11