Renesas Electronics R2A25110KSP智能功率器件

Renesas Electronics R2A25110KSP智能功率器件专为高压逆变器应用中的IGBT栅极驱动而设计。具有无芯变压器配置的微型隔离器用于在初级电路(MCU侧)和次级电路(IGBT侧)之间进行高压隔离的数据传输。

Renesas R2A25110KSP智能功率器件集成IGBT栅极驱动电路、米勒钳位电路、软关断电路以及IGBT温度检测等多种保护电路。此外,R2A25110KSP支持驱动并联IGBT。

特性

  • 片上微型隔离器(隔离电路)
    • 高压隔离:2500VRMS
      • 高共模抑制 (CMR):>35kV/us
  • 高输出栅极驱动电路
    • 最大1.0Ω的栅极驱动输出电阻(支持IGBT并联连接)
    • 片上有源米勒钳位功能
    • 片上软关断功能
  • 工作温度范围:-40°C至+125°C(最高结温为+150°C)
  • 片上5V稳压器
  • 各种片上保护电路
    • 2个通道的IGBT发射极电流检测电路
    • 过流检测(阈值电压:0.25V典型值)、短路检测(阈值电压:0.5V典型值)
      • 可启用/禁用过流检测功能(SEL引脚)
    • 两路IGBT温度检测电路
    • 片上欠压锁定电路
      • 4.1V典型值的VCC1(5V系统)
      • 10V典型值的VCC2(15V系统)
    • 片上过温保护电路(+200°C)
    • 故障反馈,可通过外部电容器调整故障保持时间

应用

  • 汽车应用中EV/HEV的主要逆变器
  • 汽车应用中的EV/HEV转换器
  • 用于工业仪器的逆变器和转换器

框图

框图 - Renesas Electronics R2A25110KSP智能功率器件
发布日期: 2023-05-05 | 更新日期: 2023-06-20