Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V功率MOSFET
Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V功率MOSFET采用分栅技术，可显著降低导通电阻（RDSON）和品质因数，非常适合大电流应用。这些设备采用TOLL（TO-无引线）、 TOLG（TO引线鸥翼封装）和TOLT（TO顶部冷却封装）封装，具有卓越的散热 性能和最大功率能力。此外，MOSFET采用可润湿侧翼封装，可实现出色的焊料性能。REXFET-1 MOSFET已通过AEC-Q100认证，支持PPAP，适用于汽车应用。
特性
- AEC-Q101合格产品和PPAP支持
- 汽车应用和工业应用
- 与D2PAK-7相比，空间减少60%
- 低RDSON，可将导通损耗降至最低
- TOLL/TOLG 封装，大电流能力
- 标准电平栅极阈值（VGS(th)=2V至4V）
- 采用分离栅极技术，具有卓越的性价比。
应用
- 直流电机驱动力、BMS（充电/电荷/放电FET）和同步整流
- 电动工具和园艺工具
- 机器人和AGV/AMR
- 叉车、高尔夫球车和电动踏板车
- 48V汽车 - OBC/DCDC、区域控制、BMS、电机控制、风扇、泵、电动座椅、电动天窗、EPS、EPB、电动压缩机、开关、LED灯
- 电动出行——适用于2轮、3轮、xEV、叉车、商用车的牵引逆变器
规范
- 低特定导通电阻 (Rsp) 的分割栅技术
- 100V系列：
- RDSON选项：1.5mΩ、2.9mΩ、3.7mΩ、6.7mΩ、11.1mΩ、21mΩ
- 5x6 SO8-FL和3x3 µSO8-FL，采用铜夹子粘结和可润湿侧面
- 带可润湿侧面的TOLL和TOLG引线鸥翼封装
- 150V系列：
- RDSON选项：3.4mΩ、3.9mΩ
- 具有可湿侧板的TOLL封装和用于顶部冷却的TOLT封装
封装
方框图
发布日期: 2024-12-09
| 更新日期: 2026-02-05