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Vishay Roederstein MKP386M
金属化聚丙烯薄膜缓冲电容

Vishay Roederstein MKP386M系列金属化聚丙烯薄膜缓冲电容经专门设计，可减少因IGBT切换所引起的电压及电流突波。Vishay旗下的MKP386M金属化聚丙烯薄膜缓冲电容还可通过钳位电压及电流振铃来降低EMI。产品特性包括0.047µF至10µF的电容范围、700V至2500V的电压范围、紧凑设计、高脉冲强度、低电感构造（低ESL）及低ESR。
特性
  • 通过钳位电压及电流振铃来降低EMI
  • 高脉冲强度（dV/dt高达2500 V/µs）
  • 低电感构造（低ESL）
  • 低ESR
  • 电容范围：0.047µF至10µF
  • 电压范围：700V至2500V
  • 电容容差：±5%和±10%
应用
  • 光电及风能逆变器
  • 电机驱动
  • F变频器
  • 直接安装在IGBT模块上
零件编号电容AC额定电压DC额定电压





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  • Vishay / Roederstein
发布日期: 2013-11-06 | 更新日期: 2022-03-11