ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V -40A P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor AG508EGD3 -40V/-40A P沟道功率MOSFET是一款符合AEC-Q101标准的汽车级MOSFET。它具有低导通电阻（在VGS=4.5V时为0.024Ω），适合用于汽车系统应用。它采用TO-252 (DPAK) 封装，无铅，符合RoHS指令。ROHM Semiconductor AG508EGD3的漏极-源极电压 (VDSS) 额定值为-40V，漏极连续电流 (ID) 为±40A（VGS=-10时）。
特性
- 低导通电阻
- 无铅电镀，符合RoHS指令
- 100%经雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证
规范
- 静态漏极-源极导通电阻 [RDS(ON)]
- 18.1Ω（典型值），24Ω（最大值），在VGS=-10V、ID=-10V时
- 24.0Ω（典型值），31Ω（最大值），在VGS=-4.5V、ID=-10A时
- -40V漏极-源级电压 (VDSS)
- ±40A漏极连续电流 (ID)，在VGS=-10V时
- ±80A脉冲漏极电流 (IDP)
- +5/-20V栅极-源极电压 (VGSS)
- 总栅极电荷 (Qg)
- 27.6nC（典型值），在VDD=-20V、ID=-10A、VGS=-10V时
- 13.0nC（典型值），在VDD=-20V、ID=-10A、VGS=-4.5V时
- 53W耗散功率 (PD)
- 175°C结温 (Tj)
电路图
发布日期: 2025-07-23
| 更新日期: 2025-08-06