ROHM Semiconductor 汽车IPD双通道低侧开关

ROHM Semiconductor汽车IPD双通道低侧开关配有输出诊断功能,可实现热关断 (TSD)。这些器件在单个芯片上集成了单片电源管理IC (PMIC)、控制块 (CMOS) 和功率MOSFET 。汽车低侧开关具有内置保护功能,如主动钳位功能、过电流和双热关闭功这些汽车IPD开关的典型导通电阻 (R DS(ON)) 为80mΩ,输入电压为5VIN,输出电流为1.5AI OUT,结温 (T j) 为25°C。汽车低侧开关采用SOP-J8封装,尺寸为 4.9mm x 6mm x 1.65mm。符合AEC-Q100标准的低侧开关针对12V汽车应用进行了优化,适用于驱动电阻性、电感性和电容性负载。

特性

  • 内置双热关断 (TSD)
  • 符合AEC-Q100标准(1级)
  • 内置过流保护功能 (OCP)
  • 内置有源钳位功能
  • 通过CMOS逻辑IC实现直接控制
  • 导通电阻 DS(ON):80mΩ (典型值)(V IN =5V、I OUT =1.5A、Tj=25°C时)
  • 带有控制模块CMOS的单片电源管理集成电路 (PMIC) 和功率MOSFET安装在单个芯片上

应用

  • 满足12V汽车应用要求
  • 驱动电阻性、电感性和电容性负载

框图

框图 - ROHM Semiconductor 汽车IPD双通道低侧开关

尺寸

机械图纸 - ROHM Semiconductor 汽车IPD双通道低侧开关
发布日期: 2024-10-23 | 更新日期: 2025-07-10