ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA高侧和低侧驱动器
ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA高频高侧和低侧驱动器是100V最大电压高侧和低侧栅极驱动器，可通过自举方式驱动外部N沟道FET。ROHM Semiconductor BD2320EFJ-LA包括100V自举二极管和用于高侧和低侧的独立输入控制。3.3V和5.0V可用于接口电压。内置欠压闭锁电路，用于高侧和低侧。
特性
- 为工业应用提供长期支持产品
- 欠压闭锁 (UVLO)，用于高侧和低侧驱动器
- 接口电压：3.3V和5.0V
- 输出与输入信号同相
规范
- 高侧电源电压和浮动电压：100V
- 输出电压范围：7.5V to 14.5V
- 输出电流Io+/Io-：3.5A/4.5A
- 传播延迟：27ns（典型值）
- 延迟匹配：12ns（最大值）
- 失调电压引脚漏电流：10µA（最大值）
- 工作温度范围：-40°C至+125°C
应用
- 电信和数据通信用电源
- MOSFET应用
- 半桥和全桥转换器
- 正向转换器
框图
发布日期: 2022-06-15
| 更新日期: 2023-03-15