ROHM Semiconductor BD5230G-1TR CMOS电压检测器（复位）IC
ROHM Semiconductor BD5230G-1TR CMOS电压检测器（复位）具有高精度、超低电流消耗和轻质设计。该电压检测器IC的延迟时间设置可使用外部电容器微调。BD5230G-1TR IC的特定检测电压范围为0.9V至5V，可调节增量为0.1V。该时间延迟在-40°C至85°C的整个工作温度范围内保持 ±30%的精度。该N通道开漏输出型电压检测器IC采用SSOP5封装，尺寸为2.90mm x 2.80mm x 1.25mm。典型应用包括需要电压检测的消费类设备。
特性
- Nano Energy™
- 延迟时间设置由外部电容器控制
- N通道开漏输出类型
- 极小、重量轻
规范
- 检测电压范围：0.9V至5V（典型值，增量为0.1V）
- 超低电流消耗：270nA（典型值）
- 2.90 mm x 2.80 mm x 1.25 mm SSOP5封装
- 时间延迟精度：±30%（-40°C至85°C，CT引脚电容器 ≥ 1nF）
应用
- 需要电压检测的所有消费类设备
框图
典型应用电路
物理尺寸
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发布日期: 2024-07-16
| 更新日期: 2024-08-26