ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 评估板

ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003评估板旨在评估和演示BM3G115MUV GaN HEMT功率级IC的能力。BM3G115MUV集成了驱动器和保护电路。该功率级IC旨在适应现有的主要控制器,以便也可以取代传统的分立功率开关,如超级结MOSFET。BM3G115MUV-EVK-003评估板具有0.15mA的典型静态电流和28V/ns的开通转换速度。此评估板的工作温度范围为-40°C至105°C。

规范

  • 电源电压范围:6.83 V至30 V
  • 漏极电压:650 V
  • 静态电流典型值为0.15mA VDD
  • 转换速度为28V/ns
  • 工作温度范围:-40 °C至105 °C

原理图

原理图 - ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 评估板
发布日期: 2025-08-08 | 更新日期: 2025-08-27