ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器

ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器内置隔离功能,能够高速驱动GaN HEMT。该栅极驱动器具备2500VRMS 的隔离电压、最大60ns的输入/输出延迟时间,以及最小65ns的输入脉宽。BM6GD11BFJ-LB栅极驱动器在输入端(VCC1与GND1之间)和输出端(VCC2与GND2之间)均集成欠压锁定(UVLO)功能。该栅极驱动器采用SOP-JW8封装,尺寸为4.9mmx6mmx1.65mm。BM6GD11BFJ-LB栅极驱动器用于工业设备、GaN HEMT栅极驱动器、交流适配器和服务器电源应用。

特性

  • 内置电气隔离
  • 欠压锁定(UVLO)功能
  • 隔离电压:2500VRMS
  • 最大输入/输出延迟时间:60ns
  • 最小输入脉宽:65ns

应用

  • 工业设备
  • GaN HEMT栅极驱动器
  • 交流适配器
  • 服务器电源

基本应用电路图(高侧GaN HEMT驱动器)

应用电路图 - ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器

方框图

框图 - ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器
发布日期: 2025-05-15 | 更新日期: 2025-06-26