ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器
ROHM Semiconductor BM6GD11BFJ-LB单通道栅极驱动器内置隔离功能,能够高速驱动GaN HEMT。该栅极驱动器具备2500VRMS 的隔离电压、最大60ns的输入/输出延迟时间,以及最小65ns的输入脉宽。BM6GD11BFJ-LB栅极驱动器在输入端(VCC1与GND1之间)和输出端(VCC2与GND2之间)均集成欠压锁定(UVLO)功能。该栅极驱动器采用SOP-JW8封装,尺寸为4.9mmx6mmx1.65mm。BM6GD11BFJ-LB栅极驱动器用于工业设备、GaN HEMT栅极驱动器、交流适配器和服务器电源应用。特性
- 内置电气隔离
- 欠压锁定(UVLO)功能
- 隔离电压:2500VRMS
- 最大输入/输出延迟时间:60ns
- 最小输入脉宽:65ns
应用
- 工业设备
- GaN HEMT栅极驱动器
- 交流适配器
- 服务器电源
基本应用电路图(高侧GaN HEMT驱动器)
方框图
发布日期: 2025-05-15
| 更新日期: 2025-06-26
