ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106 瞬态电压抑制器
ROHM Semiconductor ESDxVFMFHT106瞬态电压抑制器具有高可靠性，采用硅外延平面结构。这些抑制器具有高达24V反向关断电压范围和高达130W峰值脉冲功率范围。ESDxVFMFHT106瞬态电压抑制器符合AEC-Q101标准，采用SOT-323封装。这些瞬态电压抑制器非常适用于ESD保护/浪涌保护。
特性
- 硅外延平面单结构
- 高可靠性
- 反向关断电压范围：
- 12V（ESD16VFMFH）
- 16V（ESD18VFMFH）
- 24V（ESD27VFMFH）
- 峰值脉冲功率范围：110W（ESD16VFMFH和ESD18VFMFH）和130W（ESD27VFMFH）
- 小型模具类型
- 符合 AEC-Q101
- SOT-323 封装
应用
- ESD保护/浪涌保护
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| 物料编号 | 数据表 | 工作电压 | 钳位电压 | 击穿电压 | Ipp - 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功耗 (Pppm) | Cd - 二极管电容 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ESD16VFMFHT106 |  |
12 V | 30 V | 16 V | 4 A | 110 W | 13 pF |
| ESD18VFMFHT106 | |
16 V | 34 V | 18 V | 3.5 A | 110 W | 12 pF |
| ESD27VFMFHT106 | |
24 V | 45 V | 27 V | 3 A | 130 W | 8 pF |
发布日期: 2024-05-23
| 更新日期: 2024-06-11