每个汽车栅极驱动器评估板均设有预安装的目标栅极驱动器IC以及任何必要的外部元件。该评估板设有完整的示例应用电路,集成到现有设计中后支持快速进行原型设计。
驱动两个SiC功率器件,用于半桥应用中的高侧和低侧。
驱动SiC功率器件,提供有源米勒钳位,用于栅极控制。
驱动两个MOSFET功率器件,用于半桥应用中的高侧和低侧。
驱动IGBT功率器件,用于半桥应用中的高侧和低侧。
Compact, robust, and reliable isolated gate drivers, optimized for use with SiC power MOSFETs.