ROHM Semiconductor HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET
ROHM Semiconductor HP8K/HT8K双沟道增强模式MOSFET提供双N沟道或N沟道/P沟道晶体管极性。HP8K和HT8K MOSFET采用小型表面贴装HSMT8和HSOP8背面散热双封装，具有低导通电阻和节能特性。应用包括单相/三相无刷电机驱动器或开关操作。
特性
- 低导通电阻
- 小型HSMT8和HSOP8表面贴装封装
- 大功率
- Si技术
- 无铅电镀
- 无卤，符合RoHS指令
应用
- 开关
- 电机驱动器
规范
- 100V漏源电压
- ±2.5A至±24A漏极连续电流范围
- 脉冲漏极电流范围：±10A至±40A
- 栅极-源极电压：±20V
- 栅极-源极阈值电压：2.5V
- 2.5A至10.0A雪崩电流范围，单脉冲
- 0.45mJ至8.0mJ雪崩能量范围，单脉冲
- 2W至26W耗散功率范围
- 1.9Ω至17Ω栅极电阻范围
- 1.6S至9S最小正向传输导纳范围
- 漏极-源极导通电阻范围：27.8mΩ至303mΩ
- 2.9nC至19.8nC栅极电荷范围
- 典型电容
- 输入选项：90pF、305pF或1100pF
- 输出选项： 25pF、80pF或215pF
- 反向传输选项：4pF、6pF或12pF
- 典型延迟时间范围
- 导通范围：6ns至15ns
- 关断范围：13ns至98ns
- 上升时间范围：6ns至22ns
- 下降时间范围：5ns至50ns
- 工作结温范围：-55°C至+150°C
信息图
发布日期: 2023-08-15
| 更新日期: 2025-01-09