ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管
ROHM Semiconductor PBZLx齐纳二极管设计用于电压调节应用，具有1000mW的最大功率耗散。这些二极管具有高可靠性，采用DO-214AA (SMA) 小功率模压成型类型的封装。PBZLx齐纳二极管符合RoHS标准，工作在-55°C至+150°C温度范围内。
特性
- 高可靠性
- 小功率模压成型类型
- 硅外延平面结构
- 1000mW耗散功率
- 150°C结温
- -55°C至+150°C存放温度范围
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| 物料编号 | 数据表 | Ir - 最大反向漏电流 | Pd-功率耗散 | Vz - 齐纳电压 | 齐纳电流 | Zz - 齐纳阻抗 | 最大工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBZLTBR1110 |  |
5 uA | 1 W | 110 V | 2 mA | 530 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1120 | |
5 uA | 1 W | 120 V | 2 mA | 620 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1130 | |
5 uA | 1 W | 130 V | 2 mA | 1.1 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR162 | |
5 uA | 1 W | 62 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR175 | |
5 uA | 1 W | 75 V | 2 mA | 250 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1100 | |
5 uA | 1 W | 100 V | 2 mA | 430 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR1150 | |
5 uA | 1 W | 150 V | 2 mA | 1.25 kOhms | + 150 C |
| PBZLTBR151 | |
5 uA | 1 W | 51 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR156 | |
5 uA | 1 W | 56 V | 2 mA | 220 Ohms | + 150 C |
| PBZLTBR168 | |
5 uA | 1 W | 68 V | 2 mA | 230 Ohms | + 150 C |
发布日期: 2025-07-22
| 更新日期: 2025-08-04