ROHM Semiconductor PBZTBR1x齐纳二极管
ROHM Semiconductor PBZTBR1x齐纳二极管具有高可靠性和小功率模制类型，采用硅外延平面结构。这些齐纳二极管的功耗为1000mW，结温为150°C。PBZTBR1x齐纳二极管的储存温度范围为-55°C至150°C。这些齐纳二极管采用DO-214AA（SMB）封装。PBZTBR1x齐纳二极管 用于稳压应用。
特性
- 高可靠性
- 小功率模具类型
- 硅外延平面单结构
- 耗散功率：1000mW
- 结温：150 °C
- 储存温度范围：55°C至150°C
尺寸图
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| 物料编号 | Vz - 齐纳电压 | 齐纳电流 | 测试电流 | Ir - 反向电流 |
|---|---|---|---|---|
| PBZTBR110B | 10 V | 10 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR111B | 11 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR112B | 12 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR113B | 13 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR115B | 15 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR116B | 16 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR118B | 18 V | 10 uA | 20 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.0B | 2 V | 200 uA | 40 mA | 10 uA |
| PBZTBR12.2B | 2.2 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
| PBZTBR12.4B | 2.4 V | 200 uA | 40 mA | 200 uA |
发布日期: 2024-03-07
| 更新日期: 2024-04-02