ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET提供单通道输出,漏源电压为600V或650V,采用TO-220FM-3/SOT-223-3封装。R60/R65 MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C/155°C,功率耗散选项为7.8W、6.6W、12.3W、9.1W、40W、46W、48W、53W、68W、74W或86W。R60/R65 N通道功率MOSFET非常适合用于开关应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 超快开关速度
  • 驱动电路可以非常简单
  • 低辐射噪声
  • 并行使用简单
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS指令

封装类型

应用电路图 - ROHM Semiconductor R60/R65 N通道功率MOSFET
发布日期: 2021-11-16 | 更新日期: 2024-07-15