ROHM Semiconductor RASMID硅射频电容器
ROHM Semiconductor RASMID硅射频电容器具有高可靠性、180μm薄型设计和3.6V额定电压。这些硅电容器通过大电极尺寸实现高剪切强度。RASMID硅射频电容器具有高达1000pF典型电容、±10μm尺寸容差以及±8kV(HBM) ESD保护等级。这些电容器的工作温度范围为- 55°C至150°C，电容容差为-15%至15%，反向击穿电压为8.2V至9.2V。RASMID硅射频电容器采用0.4mm x 0.2mm封装，非常适合用于无线、可穿戴设备和光学收发器。
特性
- 典型电容：
- 1000pF (BTD1RVFLT27N102)
- 470pF (BTD1RVFLT27N471)
- 可靠性高
- 薄型设计：180μm
- ESD保护等级：±8kV (HBM)
- 尺寸容差：±10μm
- 通过大电极尺寸实现高剪切强度
- 额定电压：3.6V
- 封装：0.4mm x 0.2mm
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 电容容差：-15%至15%
- 反向击穿电压：8.2V至9.2V
- 10GΩ典型绝缘电阻器
应用
- 无线
- 可穿戴设备
- 光收发器
内部电路图
特性曲线
尺寸图
发布日期: 2023-09-01
| 更新日期: 2023-09-14