ROHM Semiconductor RBRxxBGE肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBRxxBGE肖特基势垒二极管采用硅外延平面结构，具有30V、40V或60V重复峰值反向电压。RBRxxBGE肖特基势垒二极管具有高可靠性、低VF和阴极公共双类型。ROHM RBRxxBGE二极管设计用于开关电源应用。
特性
- 可靠性高
- 功率模具类型
- 阴极共用双通道型
- 低 VF
Rohm功率二极管系列
封装类型
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ROHM Semiconductor 肖特基势垒二极管
高可靠性、低损耗器件，并支持多种封装形式。
发布日期: 2021-02-04
| 更新日期: 2022-03-11