ROHM Semiconductor RF6G035BG功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF6G035BG功率MOSFET具有40V漏源电压（V_DSS）和±3.5A连续漏极电流（I_D）。该N沟道MOSFET具有46mΩ低导通电阻（R_DS(on)）和1W（P_D）的功耗。RF6G035BG MOSFET的工作结温和储存温度范围为-55°C至+150°C，采用无卤素小型表面贴装封装（TAMT6或SOT-363T）。这款符合RoHS指令的器件采用无铅电镀。RF6G035BG功率MOSFET适合用于开关、电机驱动器和直流/直流转换器应用。