ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超快恢复二极管

ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超快恢复二极管采用硅外延平面结构，具有大电流过载能力和低开关损耗。该款超快恢复二极管的储存温度范围为-55°C至150°C，具有350V重复峰值反向电压。RFN10BGE3STL二极管的平均整流正向电流为10A，最大正向电压为1.5V，最大反向电流为10μA，结温为150°C。该二极管非常适合用于一般整流。