ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快恢复二极管

ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快恢复二极管具有低开关损耗、超低正向电压和大电流过载能力。该超快恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFNL10BM6SFHTL恢复二极管具有600V重复峰值反向电压,600V反向电压以及10A平均整流正向电流。该款超快恢复二极管的峰值正向浪涌电流为100A,结温为150°C,储存温度范围为-55°C至150°C。RFNL10BM6SFHTL二极管非常适合用于PFC断续电流模式的一般整流。

特性

  • 低开关损耗
  • 硅外延平面型结构
  • 超低正向电压
  • 高电流过载能力

规范

  • 重复峰值反向电压:600V
  • 反向电压:600V
  • 正向整流平均电流:10A
  • 正向浪涌峰值电流:100A
  • 结温:150°C
  • 储存温度范围:-55°C至150°C

机械图纸

机械图纸 - ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快恢复二极管
发布日期: 2021-02-23 | 更新日期: 2022-03-11