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ROHM Semiconductor
RFUH25NS3S快速恢复二极管 - ROHM
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ROHM Semiconductor RFUH25NS3S快速恢复二极管
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ROHM Semiconductor RFUH25NS3S快速恢复二极管具有超低开关损耗和大电流过载能力。 这些恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFUH25NS3S恢复二极管具有350V反向重复峰值电压、10μA反向电流以及100A正向电流浪涌峰值。这些恢复二极管的最大正向电压为1.45V,储存温度范围为-55°C至150°C。RFUH25NS3S超快恢复二极管非常适合用于一般整流。
特性
超低开关损耗
高电流过载能力
硅外延平面型结构
重复峰值反向电压:350V
反向电流:10µA
最大正向电压:1.45V
储存温度范围:-55°C至150°C
应用
一般整流
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ROHM Semiconductor
发布日期: 2021-02-26 | 更新日期: 2024-09-06