RFUH25NS3S快速恢复二极管

ROHM Semiconductor RFUH25NS3S快速恢复二极管具有超低开关损耗和大电流过载能力。 这些恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFUH25NS3S恢复二极管具有350V反向重复峰值电压、10μA反向电流以及100A正向电流浪涌峰值。这些恢复二极管的最大正向电压为1.45V，储存温度范围为-55°C至150°C。RFUH25NS3S超快恢复二极管非常适合用于一般整流。