ROHM Semiconductor RFUH5TF6S快速恢复二极管

ROHM Semiconductor RFUH5TF6S快速恢复二极管具有超低开关损耗和大电流过载能力。该恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFUH5TF6S恢复二极管具有600V重复峰值反向电压、10μA反向电流以及30A非重复正向浪涌电流。该恢复二极管的最大正向电压为2.8V，储存温度范围为-55°C至150°C。RFUH5TF6S超快恢复二极管非常适合用于一般整流。