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ROHM Semiconductor RFxDNZ超快恢复二极管

ROHM Semiconductor RFxDNZ超快恢复二极管是阴极公共双型二极管，具有 低正向电压 和 低开关损耗。这些恢复二极管采用硅外延平面型结构。RFxDNZ恢复二极管的储存温度范围为-55°C至150°C。这些快速恢复二极管的工作结温为150°C，反向电流为10μµA。RFxDNZ超快恢复二极管非常适合用于一般整流。

特性

  • 低正向电压
  • 硅外延平面型结构
  • 低开关损耗
  • 阴极共用双通道型

规范

  • 储存温度范围：-55°C至+150°C
  • 工作结温：150°C
  • 反向电流：10µA
  • RF1001T2DNZ二极管：
    • 正向电压：0.93V（IF=5A时）
  • RF1601T2DNZ二极管：
    • 正向电压：0.93V（IF=8A时）
  • RF2001T2DNZ二极管：
    • 正向电压：0.93V（IF=10A时）
  • RF2001T3DNZ二极管：
    • 正向电压：1.3V（IF=10A时）
  • RF601T2DNZ二极管：
    • 正向电压：0.93V（IF=3A时）

应用

  • 一般整流

其他资源

发布日期: 2021-02-26 | 更新日期: 2022-03-11