ROHM Semiconductor RGE场截止沟道IGBT

ROHM Semiconductor RGE场截止沟道IGBT具有低集电极-发射极饱和电压、低开关损耗和短路耐受时间（5μs）的特点。 ROHM Semiconductor  RGE IGBT可确保在高压力条件下可靠运行。内置的快速软恢复FRD提高了效率，而无铅电镀则确保符合RoHS规范。RGE系列是通用逆变器、不间断电源 （UPS）系统、电源调节器和焊机的理想之选，可为现代电源管理需求提供强大的解决方案。