ROHM Semiconductor RH6 N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH6 N通道功率MOSFET采用小型、大功率、8引脚、表面贴装模压封装 (HSMT-8)，具有低导通电阻。RH6 MOSFET的功耗为59W，工作温度范围为-55°C至+150°C。RH6 N沟道功率MOSFET设计用于开关应用。
特性
- 低导通电阻
- 单通道
- 增强模式
- Si技术
- 大功率小型模压封装 (HSMT-8)
- 表面贴装
- 无铅电镀
- 无卤，符合RoHS指令
规范
- 8引脚
- 连续漏极电流范围：25A至95A
- 栅极-源极电压：±20V
- 功率损耗：59W
- 关断延迟时间范围：35ns至51ns（典型值）
- 导通延迟时间范围：15ns至19ns（典型值）
- 下降时间范围：8ns至17ns
- 上升时间范围：9.5ns至20ns
- 漏极-源极导通电阻范围：3.6mΩ至73mΩ
- 栅极电荷范围：16.7nC至25nC
- 漏极-源极击穿电压范围：60V至150V
- 栅极-源极阈值电压范围：2.5V或4V
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
发布日期: 2023-02-01
| 更新日期: 2025-10-10