ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET的漏源电压 (VDSS)额定值为-40V，漏极连续电流 (ID)额定值(VGS = -10V)为±22A。这款MOSFET为汽车级产品，并通过了AEC-Q101认证。该器件采用带有可湿性侧翼的DFN3333T8LSAB封装，并已100%通过雪崩测试。ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA的耗散功率（PD）为33W，静态漏极-源极导通电阻（RDS_(on)）为38mΩ（典型值）（VGS=-10V，ID=-20A）或49mΩ（典型值）（VGS=-4.5V，ID=-10A）。