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ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7G04 40V N沟道功率MOSFET是车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。这些MOSFET具有低漏源导通电阻 [RDS(ON)]，采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7G04 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。

特性

  • 可湿性侧翼产品
  • 符合 AEC-Q101
  • 100% 经雪崩测试

应用

  • ADAS
  • 信息
  • 照明
  • 车身

规范

  • 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
    • RH7G04BBKFRA 的产品评估板
      • 3.1mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 5.8mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
    • RH7G04CBLFRA 的产品评估板
      • 5.8mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 8.7mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
    • RH7G04DBKFRA 的产品评估板
      • 12.6mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 23.9mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
  • 耗散功率 (PD)
    • RH7G04BBKFRA：75 W
    • RH7G04CBLFRA：62 W
    • RH7G04DBKFRA：33 W
  • 总栅极电荷 (Qg)
    • RH7G04BBKFRA 的产品评估板
      • 26.8nC（典型值，VDD =20V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 13.5nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）
    • RH7G04CBLFRA 的产品评估板
      • 17.7nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 8.9nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）
    • RH7G04DBKFRA 的产品评估板
      • 7.6nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 4.2nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）

电路图

原理图 - ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET

封装图

机械图纸 - ROHM Semiconductor RH7G04 40 V N通道功率MOSFET
发布日期: 2025-07-24 | 更新日期: 2025-08-19