ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET的漏极与源极电压（VDSS）额定值为-100V，漏极连续电流（ID）额定值（VGS=10V）为±105A。该器件采用大功率TO-263AB封装，并已100%通过Rg和UIS测试。ROHM Semiconductor RJ1P10BAT的耗散功率（PD）为201W，静态漏极与源极导通电阻（RDS_(on)）为9.4mΩ（典型值）（VGS=-10V，ID=-50A）或10.4mΩ（典型值）（VGS=-6V，ID=-50A）。