ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA 40V N沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±12A，符合AEC-Q101认证要求。漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为17.4mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 12A时），采用3.3mm x 3.3mm HSMT8AG封装。ROHM Semiconductor RQ3G120BKFRA MOSFET非常适合用于ADAS、信息、照明和车身应用。
特性
- 小型大功率封装，最多可减少64%的安装区域
- 符合AEC-Q101认证要求
- 通过独创的终端和镀层处理，实现高安装可靠性
应用
- ADAS
- 信息
- 照明
- 车身
规范
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
- 17.4mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 12A时）
- 28.0mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 6A时）
- 耗散功率 (PD)：40W
- 总栅极电荷 (Qg)
- 8.5nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 10V时）
- 4.8nC（典型值，VDD = 20V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）
- 结温 (Tj)：+150°C
电路图
封装图
发布日期: 2025-07-25
| 更新日期: 2025-08-19