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ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET

ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET是一款额定漏源电压 (VDSS) 为-40V，额定漏极连续电流 (ID) 为±4.0A的设备。漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为46.0mΩ（最大值，VGS = -10V，ID = -4.0A时），采用2.8mm x 2.9mm SOT-346T (TSMT3) 封装。ROHM Semiconductor RQ5G040AT MOSFET非常适用于开关和电机驱动应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 - SOT-346T（TSMT3）
  • 无铅镀层，符合RoHS标准
  • 不含卤素
  • 100%通过Rg和UIS测试

应用

  • 开关
  • 电机驱动器

规范

  • 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
    • 46.0mΩ（最大值，VGS = -10V，ID = -4.0A时）
    • 57.0mΩ（最大值，VGS = -4.5V，ID = -4.0A时）
  • 耗散功率 (PD)：1.0W
  • 总栅极电荷 (Qg)
    • 16.8nC（典型值，VDD = -20V，ID = -4A，VGS = -10V时）
    • 8.5nC（典型值，VDD = -20V，ID = -4A，VGS = -4.5V时）
  • 结温 (Tj)：+150°C

电路图

原理图 - ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET

封装图

机械图纸 - ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40V P沟道小信号MOSFET
发布日期: 2025-07-25 | 更新日期: 2025-08-19