ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET
ROHM Semiconductor RS7功率MOSFET专为电机驱动、开关应用和DC/DC转换器中的高效性能而设计。这些ROHM Semiconductor RS7 MOSFET采用低导通电阻、坚固耐用的大功率DFN5060T8LSHAAE封装和无铅电镀，符合RoHS规范，并且不含卤素。每个器件都经过100% Rg和UIS测试，以确保卓越的可靠性和性能。
特性
- 低导通电阻
- 大功率封装
- 无铅镀层和符合RoHS标准
- 不含卤素
- 100%通过Rg和UIS测试
应用
- 开关
- 电机驱动器
- DC/DC转换器
规范
- 2.5V或4V栅极-源极阈值电压选项
- 49nC至145nC栅极电荷范围
- 0.64mΩ至8.3mΩ最大漏极-源极导通电阻 [RDS(on)]
- 栅极-源极电压：±20 V
- 160W至217W功率损耗范围（PD）
- 150A至445A连续漏电流范围（ID）
- -55°C至+150°C/+175°C工作温度范围
包装外形
内部电路
发布日期: 2025-01-09
| 更新日期: 2025-11-21