ROHM Semiconductor RSB12 150mW齐纳二极管

ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是低电容保护器件,采用超小型模具类型(EMD3或EMD6)。这些器件的齐纳电压范围为9.6V(最小值)至14.4V(最大值),IZ = 5mA。这些器件的反向电流为0.10uA,反向电压为9V。这些ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是双向器件,采用硅外延平面结构。

特性

  • 超小型模具类型(EMD3或EMD6)
  • 低电容
  • 双向
  • 硅外延平面结构
  • 储存温度范围:-55°C至+150°C
  • 适用于ESD保护应用
发布日期: 2020-08-31 | 更新日期: 2024-10-08