ROHM Semiconductor RSB12 150mW齐纳二极管
ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是低电容保护器件,采用超小型模具类型(EMD3或EMD6)。这些器件的齐纳电压范围为9.6V(最小值)至14.4V(最大值),I
Z = 5mA。这些器件的反向电流为0.10uA,反向电压为9V。这些ROHM RSB12 150mW齐纳二极管是双向器件,采用硅外延平面结构。
特性
- 超小型模具类型(EMD3或EMD6)
- 低电容
- 双向
- 硅外延平面结构
- 储存温度范围:-55°C至+150°C
- 适用于ESD保护应用
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发布日期: 2020-08-31
| 更新日期: 2024-10-08